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【技術/半導体】リング状磁気トンネル接合を使った新型MRAMを開発 中国の研究チーム

1 :まぁいいかφ ★:2007/03/12(月) 21:45:42 ID:???
 中国科技院(CAS:Chinese Academy of Sciences)は、物理研究所(Institute of Physics)の
Han Xiufeng教授が率いる研究チームが、新型MRAM(Magnetic RAM)の開発に成功したと発表した。

 既存のMRAMは、2つの直交した電極にパルス電流を流し、これらの電流によって発生する
合成磁界を利用して、強磁性素子の磁化を反転させて情報を書き込んでいた。読み出しは、
TMR(Tunneling Magneto Resistance)比を利用する。中国科技院の発表によると、開発した
新型MRAMは、「1」もしくは「0」の情報の格納にナノスケールのリング状磁気トンネル接合
(NR-MTJ:Nanometer-scale Ring-shaped Magnatic Tunnel Junction)を使う。
1960年代に開発が進められていた磁気コア・メモリーをナノスケールで実現したものだという。
使用するメモリー・リングの内径と外径は、それぞれ50nmと100nmである。メモリー・セルに
情報を書き込む際は、正と負のパルス電流を使って、磁気モーメントを回転させることで行う。

 Xiufeng教授の研究チームによると、新型MRAMの原理や構造を採用すれば、既存のMRAM開発で
直面している2つの課題を解決できると主張する。すなわち、消費電力を削減できることと、
メモリー・セルの小型化を実現できることだ。メモリー・セルへの書き込みに必要な電流は
500μ〜650μA、読み出しは10μ〜20μAと小さい。今後さらに開発を進めれば、書き込み時の
電流は100μ〜200μAに削減できるという。

 ただし今回の発表では、新型MRAMの製造工程や、開発したMRAMが単一セルだけなのか
複数セルを作り込んだアレイ品なのか、アレイ品だとした場合のメモリー容量などについては
言及していない。今回の研究開発は、国家重点基礎研究発展プログラム(Chinese National Basic
Research Program、973プログラム)や、中国国家自然科学基金委員会(National Natural Science
Foundation of China)、中国科技院の知識イノベーション・プログラム(Knowledge Innovation Program)
などの支援を受けながら、2002年4月〜2006年9月にかけて行われた。
(Peter Clarke: EE Times Europe)

ソース:
http://www.eetimes.jp/contents/200703/15443_1_20070312200550.cfm

ニュースリリース (The Chinese Academy of Sciences):
http://english.cas.cn/Eng2003/news/detailnewsb.asp?infoNo=26435

2 :まぁいいかφ ★:2007/03/12(月) 21:45:54 ID:???
関連スレ:
【技術/半導体】米IBMが新型半導体、フラッシュの代替に
http://news21.2ch.net/test/read.cgi/scienceplus/1165888282/

【ナノテク】1平方センチ当たり1000億ビットの分子メモリを開発
http://news21.2ch.net/test/read.cgi/scienceplus/1169989045/

3 :名無しのひみつ:2007/03/12(月) 21:48:30 ID:TwWQi5f0
  ! i : : !: :/: :/: : /: : /ィ: : /: : ヽ: :!: : : ! Y
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4 :名無しのひみつ:2007/03/12(月) 21:49:29 ID:nXqAhTWy
またバブルメモリーか

5 :名無しのひみつ:2007/03/12(月) 21:52:10 ID:vWLE46h2
スキッドみたいなふいんき?

6 :名無しのひみつ:2007/03/12(月) 22:12:38 ID:VdSJ1g0r
緊迫感を増す韓国経済、異常なまでの先物取引実績、ワロス曲線その後、12兆円の短期外債の借り換え・・・

東亜経済イナゴスレ
http://tmp6.2ch.net/test/read.cgi/asia/1173291356/

もうずっと人大杉 対応
http://oo.2ch2.net/?q=http%3A%2F%2Ftmp6.2ch.net%2Ftest%2Fread.cgi%2Fasia%2F1173291356%2F

7 :名無しのひみつ:2007/03/12(月) 22:37:36 ID:xAuj7OAd
量産できなきゃ意味なし、過去の遺物。
実験室で数十個程度ではまったく使えないのね。
超高密度を安価でできるという条件がなければ未来真っ暗。
最低でも1キロビットのメモリを試作したとかなら注目に値するだろうけど
それでも投資家は疑問視するよ。
中華は自前の資金で作れば良し、なので資金集めの発表など不要だよな。

8 :名無しのひみつ:2007/03/12(月) 22:43:11 ID:hepChJgG
>>5
集積した、って言ってないって事は高い確率で少数セル。

本物に限りなく近い人工毛髪を開発しました、
これを使えば地毛と見分けが付かないカツラが作れます。
ただし出来たのは一本だけで量産方法は判りません。
みたいなレベルだと思うよ。

9 :名無しのひみつ:2007/03/13(火) 04:36:28 ID:6HM7XdSj
>1960年代に開発が進められていた磁気コア・メモリーを

あれ?実用化されてたはずだが。

10 :名無しのひみつ:2007/03/13(火) 10:28:14 ID:PzSMany5
ttp://www.nec.co.jp/press/ja/0606/0603.html
読出し/書込み 200メガバイト/秒
200メガバイト/秒
200メガバイト/秒
200メガバイト/秒
200メガバイト/秒
Σ(||゚Д゚)
MRAMすげー

11 :名無しのひみつ:2007/03/13(火) 16:00:44 ID:PUh8iUSs
その昔、富士通のバブルメモリというのがあったがそれと違うのかな。

12 :名無しのひみつ:2007/04/28(土) 20:27:34 ID:9XicYEhj
米ロ海底トンネル
http://news.ameba.jp/2007/04/4444.php

13 :名無しのひみつ:2007/04/28(土) 20:52:22 ID:oJRJno2I
なに?中国人がFMー8作った?

14 :名無しのひみつ:2007/05/17(木) 18:19:40 ID:W/QP6QM/
てs

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